时间: 2024-11-23 06:11:12 | 作者: 激光切割产品
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出行业首款[1]能够在低至2.2V电压下工作的高速通信光耦。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。并将于今日开始出货。
新产品能在低至2.2V的低电压下工作,因此能适应外围电路的较低电压,甚至能配合2.5V LVCMOS这样的低电平电压电路。这种方法无需使用单独的电源驱动光耦,从而能够减少组件数量。
新型光耦在-40℃至+125℃的工作时候的温度范围内阈值输入电流低至1.6mA(最大值)、供电电流低至0.5mA(最大值),能够直接通过微控制器来驱动,有助于降低功耗。
新型光耦采用5引脚SO6封装,最大封装高度仅为2.3mm,为印刷电路板上的组件布局提供了更大的灵活性。
关键字:引用地址:东芝全新高速通信光耦可在2.2V电压下工作并有实际效果的减少器件数
据外媒报道,日本东芝宣布示,为提高集团的利润率,该公司将退出处于亏损的LSI芯片业务(大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit)),同时仅保留电源管理芯片业务。 不过该公司仍表示,将继续为现有客户提供销售和支持业务。 此外,东芝计划将为LSI业务部门的770名员工提供转岗或提前退休方案。据悉,这一决定将使东芝损失118亿日元(1.1177亿美元),公司收益前景已经受一定的影响。 该公司在一份声明中表示,已决定关闭上述业务,并将建立“不易受市场波动影响的稳固的业务结构,即便在持续的中美贸易冲突中,这个结构也将能够持续”。 报道指出,中美焦灼的事态笼罩着全球芯片市场。周一,Kioxi
正式放弃LSI芯片业务 /
日本政府传不乐见东芝半导体落入中国厂手中,但南韩(Korea Joongang Daily)分析报导指出,中国厂并购东芝半导体正是三星的心腹大患。日本政府政治凌驾专业的结果,最后可能让三星受惠,而东芝半导体则错失开创新局的契机。那就请您跟随eeworld半导体小编的脚步,来详细的了解下韩媒:三星最怕中国厂购买东芝半导体。 东芝有技术没钱,中国厂有钱没技术,若不考虑政治因素,按理原本就该是一拍即合的组合,而产业分析师也同意,如果是由中国厂接收东芝半导体事业,三星主宰NAND 快闪存储的局面可能被打破,未来可能成为两强分庭抗礼。 不过据路透社报导,日本政府为阻止东芝半导体被赤化,可能以国安为由禁止中资投标。除此之外,分析师认为
东芝今日宣布推出Blade X-gale™系列薄型、刀片式高性能SSD(固态硬盘)产品。该新型SSD产品分为64GB、128GB和256GB三种,适用于空间存在限制的产品(包括超小型笔记本电脑和上网本),可以为产品开发者提供更大的设计灵活性。该系列SSD产品现已开始销售。 随着移动电子设备的尺寸越来越小,重量越来越轻,功能慢慢的变多,作为这些移动电子设备的存储核心(储存所有音乐以及其它娱乐数据)的SSD产品也必须慢慢的变小、越来越薄。新型的64GB和128GB Blade X-gale™SSD是东芝所有SSD产品中最薄的。其厚度仅为2.2mm,比通常的mSATA薄42%。 东芝先进的布线技术保证了新型SSD的走线与数据传送速度
推出2.2mm超薄型SSD /
环境和能源问题是一个重要的全球性问题。同时,随着电力需求持续升高,对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。而在这其中,功率半导体扮演着很重要的角色。 功率半导体具有将直流电转换成交流电的 逆变器 功能,将交流电转换成直流电的转换器功能,还具有改变交流电频率的 变频器 功能,是帮助各类器件实现节能的重要器件。 相比于传统的硅(Si) MOSFET 和 IGBT 产品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高压,高速 开关 ,低导通 电阻 性能。除减少产品尺寸外,该类产品可极大降低功率损耗,从而大幅度的提高系统的能源效率。SiC MOSFET适用于大功率且高效的各类应用,包括工业电源、太阳能逆变
SiC MOSFET电动汽车电力转换系统参考设计 /
新浪科技讯 北京时间12月18日晚间消息,彭博社今日援引知情人士的消息称,中国商务部已开始对东芝出售芯片交易展开评估,评估官员目前对SK Hynix在该交易中所扮演的角色表示担忧。 该知情人士称,中国商务部的反垄断官员认为,如果批准该交易,则将来SK Hynix将拥有出售后的东芝芯片业务的大量股权。 知情人士还称,该交易要想获得中国政府的批准,东芝在大多数情况下要做出一些补救措施,确保不可能影响市场的公平竞争,从而打消中国监管部门的担忧。这样,中国商务部或有条件批准该交易。 当前,中国是全球最大的半导体市场。为了打造自己的半导体产业,中国每年在该领域的投资高达数十亿美元。 今年9月28日,贝恩资本财团正式与东芝签约,
东芝(Toshiba)21日宣布,决定由日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”、美国互助基金以及韩国SK Hynix等所筹组的“日美韩联盟”作为半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的优先交涉对象,而该日美韩联盟将有强大的生力军加入?据悉苹果(Apple)考虑加盟。另外,因日本政府打出“忧心技术外流”大旗、导致台湾鸿海未能被选为优先交涉对象,但为什么同样身为“海外企业”的SK却能被选中?对此东芝有作出说明。 苹果可能将加入“日美韩联盟”,主因苹果iPhone等产品使用了大量的存储器,而若能对TMC进行出资、就有望更易于采购到存储器,因此考虑加盟。而对现行的日美韩
与传统USC封装相比,新封装设计热阻降低50% 东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出一款新型肖特基势垒二极管产品“CUHS10F60”。该器件主要面向电源电路整流和回流预防等应用。量产和出货即日启动。 新的CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105°C/W 低热阻,其封装代码为“SOD-323HE”。该封装的热阻较传统USC封装降低约50%,可实现更轻松的散热设计。 此外,与该产品系列的别的产品相比,其性能也实现了逐步提升。与CUS04 肖特基二极管相比,最大反向电流降低约60%,降至40µA 。因此,使用该产品有助于降低目标应用的功耗。此外,其反向电压已从40V提高至60V,使其与
开发出散热性能更强的低反向电流肖特基二极管 /
9月27日消息,据东芝半导体部门的CEO兼总裁Shozo Saito称,东芝不足以满足对其NAND闪存芯片的需求,订单已经排到了12月份。 据国外新闻媒体报道称,Saito证实了有关报道,即东芝只能实现用户订单需求的70%。但是,东芝对NAND闪存芯片平均售价的前景并不乐观。本周,Saito在接受媒体采访时说,有利的一面是需求相当强劲。他说,我们计划大幅度提升产量,满足迅速增长的需求。 大多数的NAND闪存需求来自嵌入设备市场——这中间还包括MP3播放机、优盘等产品,闪存卡只占需求很少的一部分。Saito说,东芝专注于嵌入式设备市场。 总体而言,在经历一段疲软后,NAND闪存的需求再次强劲。从去年末到今年初,NAND闪存芯片的价格不断下滑,
东芝1200V SIC SBD “TRSxxx120Hx系列” 助力工业电源设备高效
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